Pat
J-GLOBAL ID:200903015474487426
熱電素子及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
林 敬之助 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994178990
Publication number (International publication number):1996046248
Application date: Jul. 29, 1994
Publication date: Feb. 16, 1996
Summary:
【要約】【目的】 熱電素子の絶縁基板は熱伝導率が悪いため、放熱効率及び吸熱効率が悪くなる。そこで絶縁基板の熱伝導率を良くし、放熱効率及び吸熱効率が向上する方法を提供する。【構成】 基板に表面が絶縁化されているシリコンを用いる。また、熱電素子の絶縁基板において、絶縁基板を機械的、もしくは化学的エッチングにより溝状に加工することにより表面積を大きくする。【効果】 熱電素子の絶縁基板を機械的、もしくは化学的エッチングにより溝状に加工を施すことにより、絶縁基板の放熱部分及び吸熱部分の表面積が大きくなるため、放熱効率及び吸熱効率が良くなるので、絶縁基板が放熱板及び吸熱板を兼ねることができる。また、別に放熱板を取り付ける場合には、この溝を利用することにより、取付性が良くなるとともに熱接触が良くなるので素子の性能が上がる。
Claim (excerpt):
二枚の基板の間に電極を介して、少なくとも一対のp型及びn型熱電材料が挟まれることにより作られる熱電素子において、これを構成する基板がシリコンであることを特徴とする熱電素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
サーモモジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-203254
Applicant:日本ブロアー株式会社
-
半導体基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-048427
Applicant:株式会社東芝
-
特開平4-324232
Return to Previous Page