半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994318127
Publication number (International publication number)：1996181085
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】イオン注入により導入された不純物層の拡散を抑え、かつリーク電流が増大しないようにすることを目的とする。【構成】 Si+ 10を1.5MeVで3×1013cm-2の条件で注入し、加えて、イオン注入したSi+ の飛程とほぼ同じ深さになるように、B+ 11を850KeVで8×1012cm-2の条件で注入し、イオン注入領域12を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板中へ第1のイオンをイオン注入して不純物領域を形成した後、前記不純物領域より深い位置へ第2のイオンをイオン注入し、その後、熱処理を行って、前記不純物領域を含む周辺に空孔が存在する空孔領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 , H01L 21/322

FI (5)：

H01L 21/265 Q , H01L 21/265 W , H01L 21/265 D , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体素子のソース/ドレイン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-261227 Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリイズカンパニーリミテッド
二重拡散層の作り込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135438 Applicant：富士電機株式会社
特開平4-079216

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