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J-GLOBAL ID：200903015646150194

位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク

Inventor： 悳 昭彦 ,  川田 前 ,  斉藤 芳宏 ,  山本 恒雄 ,  林 厚 ,  吉岡 信行 ,  千葉 明 ,  宮崎 順二
Applicant, Patent owner： アルバック成膜株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214792
Publication number (International publication number)：1996074031
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 紫外線露光に適し、耐薬品性の高い位相シフトフォトマスクブランクスを提供する。【構成】体積百分率で2.65%〜6%の割合で一酸化窒素ガスを添加してモリブデンシリサイドのターゲットをスパッタし、透明基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜すると、このモリブデンシリサイド酸化窒化膜は、KrFエキシマレーザ波長での位相シフト膜に適し、耐薬品性に優れる。前記一酸化窒素ガスの割合が低いと、特に耐薬品性に優れるので、0.5%〜6%の範囲で添加すれば、モリブデンシリサイド酸化窒化膜を位相シフト膜の保護膜として使用できる。そして、モリブデンシリサイド酸化窒化膜を200°C以上で熱処理すれば、透過率のプロセス変動を小さくでき、露光波長における透過率を高くすることができる。

Claim (excerpt)：

体積百分率で2.65%から6%の割合で一酸化窒素ガスが添加されたスパッタガスでモリブデンシリサイドのターゲットをスパッタし、透明基板上に位相シフト膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜することを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 位相シフトマスク及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-232115   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開平4-246649
  
• 特開平4-285958