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J-GLOBAL ID：200903015653276306

炭化珪素単結晶

Inventor： 山田 益三
Applicant, Patent owner： 日本ピラー工業株式会社
Agent (1)： ▲吉▼川 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001134822
Publication number (International publication number)：2002326897
Application date： May. 02, 2001
Publication date： Nov. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 マイクロパイプ等の貫通孔の無い炭化珪素単結晶を得る。【解決手段】 炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてなる炭化珪素単結晶において、珪素含有液状化合物と炭素含有液状化合物とナトリウム化合物とを均一に混合させて乾燥、粉砕、及び炭化処理が施された原料粉を、略大気圧の不活性ガス雰囲気中に加熱状態で保持された炭化珪素種結晶表面に向けて供給し、前記原料粉中の二酸化珪素が炭化珪素種結晶表面において軟化されて流動する液状二酸化珪素を該炭化珪素種結晶表面に密着させ、炭化珪素種結晶表面において前記液状二酸化珪素を炭素によって還元することにより、炭化珪素単結晶を炭化珪素種結晶表面に成長させてなる炭化珪素単結晶。

Claim (excerpt)：

炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてなる炭化珪素単結晶であって、二酸化珪素含有化合物と炭素含有化合物とナトリウム化合物とを含有する原料粉を、略大気圧の不活性ガス雰囲気中に加熱状態で保持された炭化珪素種結晶表面に供給し、所定時間保持し、前記原料粉中の二酸化珪素が炭化珪素種結晶表面において軟化されて流動する液状二酸化珪素を該炭化珪素種結晶表面に密着させ、炭化珪素種結晶表面において前記液状二酸化珪素を炭素によって還元することにより、炭化珪素単結晶を炭化珪素種結晶表面に成長させてなる炭化珪素単結晶。

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077EA02 ,  4G077EC02 ,  4G077QA01 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単結晶SiCの液相育成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058254   Applicant：日本ピラー工業株式会社