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J-GLOBAL ID:200903015665362445
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
早瀬 憲一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993165270
Publication number (International publication number):1995022575
Application date: Jul. 05, 1993
Publication date: Jan. 24, 1995
Summary:
【要約】【目的】 放熱を効率良く実行できるマルチ・チップ・モジュールを得る。【構成】 マルチ・チップ・モジュールのベース基板に搭載される半導体集積回路チップ203aをベース基板202にフェイスダウンで搭載し、裏面から研磨してその厚みを薄くするようにした。【効果】 半導体集積回路チップがベース基板に搭載後にその厚みが薄くされるので、本来ならウエハ工程を流せない薄いチップをベース基板に搭載でき、かつその熱伝導性が高いため、放熱性が向上する。
Claim (excerpt):
複数の半導体集積回路チップをパッケージに封入しない状態で同一基板上に搭載し、当該基板をパッケージに収容してなる半導体装置において、上記半導体集積回路チップを、上記基板上に搭載後に研磨してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 21/60 311
, H01L 23/34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭63-147352
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特開平2-031437
-
半導体モジユール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-265678
Applicant:富士通株式会社
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