強誘電体コンデンサの再生方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995029042
Publication number (International publication number)：1996008409
Application date： Feb. 17, 1995
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】集積回路メモリにおける強誘電体コンデンサの再生。【構成】再生方法は、強誘電体メモリダイを有するウエハ上において行なわれる。復活アニーリングは、高い温度の試験を含む全ての電気的試験後、強誘電物質のキュリー温度以上の温度で行なわれる。実施例では強誘電物質はPZTで、約1時間、約毎分10リットルの窒素の流れの中で、約400 ゚Cで行なわれる。電気的サイクリング操作は、アレイのそれぞれの強誘電体コンデンサに5[V]交流ロジック状態を約100サイクル書込むことによって達成される。電気的デポーリング操作は、最初、最大の5[V]電源供給レベルで論理1と論理0をアレイのそれぞれのコンデンサに書込み、その後減少する電源供給レベルでそれぞれの書込みサイクルを繰り返す。書込みサイクルは電源供給が最小機能レベルまで低下するまで続け、コンデンサにおける分極がほぼ取除かれる。

Claim (excerpt)：

ウエハ上に複数の強誘電体メモリ集積回路を製作する工程と、前記メモリ回路における強誘電物質のキュリー温度より低い第1の温度で前記ウエハを熱処理する工程と、電気的試験に不合格となった不良品ダイと電気的試験に合格となった良品ダイとを区別するため前記メモリ回路を電気的に試験する工程と、強誘電体コンデンサにおける分極のほぼ未使用状態を回復するため、前記メモリ回路における強誘電物質のキュリー温度以上の第2の温度で前記ウエハをアニーリングする工程と、を有する強誘電体メモリの製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

強誘電体メモリの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-236634 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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