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J-GLOBAL ID：200903015708131850

フォトマスク、露光装置及び露光方法

Inventor：
佐藤 康弘

About 佐藤 康弘


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (2)： 柏木 慎史 ,  柏木 明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004255196
Publication number (International publication number)：2006073784
Application date： Sep. 02, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
【課題】 近接場光を利用した微細パターンの露光転写を容易に行えるようにする。【解決手段】 フォトマスク1は、露光光を透過する材料で形成されて少なくとも外周面の一部が円弧形状に形成された柱状のマスク基体2と、マスク基体2の外周面の円弧形状部分に形成された露光光の波長以下の開口幅の微細パターン3とを具備する。マスク基体2の外周面の微細パターン3が形成された円弧形状部分をこの微細パターン3を露光転写しようとする感光性樹脂層に押し当てることにより、微細パターン3と感光性樹脂層との間隔を露光光の波長以下に抑えることができ、露光光として近接場光を用いた露光転写を行うことができ、微細パターン3の露光転写を良好に行うことができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
露光光を透過する材料で形成され、少なくとも外周面の一部が円弧形状に形成された柱状のマスク基体と、 前記マスク基体の外周面の円弧形状部分に形成された露光光の波長以下の開口幅の微細パターンと、 を具備するフォトマスク。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20
FI (5)：
H01L21/30 502D ,  G03F1/08 G ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 505
F-Term (8)：
2H095BC04 ,  2H097CA12 ,  2H097GA50 ,  2H097LA10 ,  5F046BA10 ,  5F046CA01 ,  5F046CB17 ,  5F046DA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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