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J-GLOBAL ID：200903015767628326

集積型薄膜太陽電池の製造方法

Inventor：
中島 昭彦

About 中島 昭彦

, 
中田 年信

About 中田 年信


Applicant, Patent owner：
鐘淵化学工業株式会社

About 鐘淵化学工業株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000082387
Publication number (International publication number)：2001274447
Application date： Mar. 23, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 結晶質光電変換ユニット層を含む集積型薄膜太陽電池の高い出力特性を実現し得る製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板1上に積層された裏面電極層2、少なくとも1の結晶質半導体光電変換ユニット層3、および透明電極層4が複数のセルを形成するように複数の分離溝2a,4cによって分類されていて、かつそれらのセルが導電性接続部材によって電気的に直列接続される集積型薄膜太陽電池の製造方法は、透明電極層4を複数の透明電極に分類するための透明電極分離溝4cの形成において、透明電極層4の自由表面側からスクライブ用レーザビームを照射することによって少なくとも透明電極層4の厚さを貫通する透明電極分離溝4cを形成し、その後に、少なくとも、透明電極層4に隣接している導電型半導体層を透明電極分離溝4c内でドライエッチングによって完全に分離する工程を含んでいる。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に順に積層された裏面電極層、少なくとも1の結晶質半導体光電変換ユニット層、および透明電極層が複数の光電変換セルを形成するように複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルが導電性接続部材によって電気的に直列接続される集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、前記透明電極層を複数の透明電極に分離するための透明電極分離溝の形成において、前記透明電極層の自由表面側からスクライブ用レーザビームを照射することによって少なくともその透明電極層の厚さを貫通する透明電極分離溝を形成し、その後、少なくとも、前記透明電極層に隣接している導電型半導体層を前記透明電極分離溝内でドライエッチングによって完全に分離する工程を含むことを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2)：
H01L 31/042 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01L 31/04 C ,  H01L 31/04 S
F-Term (4)：
5F051AA03 ,  5F051EA02 ,  5F051EA16 ,  5F051EA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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