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J-GLOBAL ID：200903074920378535

集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置とその製造方法

Inventor：
岡本 圭史

About 岡本 圭史

, 
吉見 雅士

About 吉見 雅士


Applicant, Patent owner：
鐘淵化学工業株式会社

About 鐘淵化学工業株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997355154
Publication number (International publication number)：1999186583
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 優れた光電変換特性を有し高電圧で高出力を生じ得る集積化されたタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置は、透明ガラス基板101上に順次積層された透明電極層102、少なくとも1の非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層105、少なくとも1の結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層106、および裏面電極層108が複数のタンデム型光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝104,109によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは分離溝104,109に平行な複数の接続用溝107を介して互いに電気的に直列接続されている。
Claim (excerpt)：
透明基板上に順次に積層された透明電極層、少なくとも1の非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、少なくとも1の結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数のタンデム型光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは前記分離溝に平行な複数の接続用溝を介して互いに電気的に直列接続されていることを特徴とする集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置。
IPC (2)：
H01L 31/04 ,  H01L 27/146
FI (3)：
H01L 31/04 Y ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/04 W
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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