保護膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002289860
Publication number (International publication number)：2004128195
Application date： Oct. 02, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】プラズマCVD法によるダメージを素子に与えず、保護膜を低温で製造する。【解決手段】真空紫外光発生部102と、基板116を支持する支持台114が設けられた反応室106と、反応室106と真空紫外光発生部102とを隔てる窓104とを有する真空紫外光CVD装置100を用いて保護膜を製造するにあたり、支持台114に設けられた保温部118によって、基板116の温度を低温に保温しながら、反応室106内に、ガス供給部112から有機系材料ガスを供給するとともに、窓104を介して真空紫外光発生部102から真空紫外光を照射する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空紫外光発生部と、基板を支持する支持台が設けられた反応室と、該反応室と前記真空紫外光発生部とを隔てる窓とを有する真空紫外光CVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて保護膜を製造するにあたり、前記支持台に設けられた保温部によって前記基板の温度を低温に保温しながら、前記反応室内に、ガス供給部から有機系材料ガスを供給するとともに、前記窓を介して前記真空紫外光発生部から真空紫外光を照射することを特徴とする保護膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/318 , C23C16/48

FI (2)：

H01L21/318 B , C23C16/48

F-Term (23)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030CA12 , 4K030CA17 , 4K030FA08 , 4K030GA02 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA26 , 4K030KA41 , 5F058BA07 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC08 , 5F058BF05 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF40 , 5F058BF80 , 5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

誘電体膜の形成方法及びその形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-150305 Applicant：エルエスアイロジックコーポレーション
真空紫外光による酸化膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-087520 Applicant：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社
特開平2-281627

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