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J-GLOBAL ID：200903056668378170

誘電体膜の形成方法及びその形成装置

Inventor：
バレリー・ ケイ.・スカレブ

About バレリー・ ケイ.・スカレブ


Applicant, Patent owner：
エルエスアイ ロジック コーポレーション

About エルエスアイ ロジック コーポレーション


Agent (1)： 下出 隆史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997150305
Publication number (International publication number)：1998107028
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ギャップ間における間隙の形成を防止し、二酸化珪素の形成に際して実際に使用されるTEOSの割合を増加させ、また二酸化珪素中の炭素不純物を減少させること。【解決手段】 TEOSのような有機金属化合物の堆積を促進させるための方法は、化学的気相成長反応炉内に有機金属化合物、及びオゾン分子を導入するステップと、化学的気相成長反応炉内に存在するオゾン分子から生成される原子状酸素の生成速度を増加させるために化学的気相成長反応炉内に紫外線を照射するステップと、堆積層を形成するため有機金属化合物を分解するステップとを備える。有機金属化合物は、化学的気相成長反応炉内に存在する増加された水酸基ラジカルを1つの要因とし、加速された分解速度で分解される。
Claim (excerpt)：
オゾンとともに行われる化学的気相成長反応中における有機金属化合物の分解促進方法であって、前記有機金属化合物及びオゾン分子を化学的気相成長反応炉に導入するステップと、前記化学的気相成長反応炉内に紫外線を照射することによって、前記オゾンから原子状酸素が生成される生成速度を増加させるステップと、堆積層を形成するために前記有機金属化合物を分解するステップと、を備え、前記有機金属化合物の分解は、前記原子状酸素と水分とから生成される水酸基ラジカルによって加速される、有機金属化合物の分解促進方法。
IPC (2)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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