高電子移動度トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243808
Publication number (International publication number)：1997064341
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】高電子移動度トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極のコンタクト抵抗の低減を図ること。【解決手段】半絶縁性基板11上に、キャリアが走行するチャネル層13、キャリアを供給するキャリア供給層15を有し、かつ素子間分離のためのメサ部21を有する高電子移動度トランジスタにおいて、ソース電極18及びドレイン電極19直下のメサ部に、少なくともチャネル層13まで達する溝22が形成されており、この溝22の内部において直接、チャネル層13にオーミックコンタクトしているソース電極18及びドレイン電極19を設けた。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板上に、キャリアが走行するチャネル層、キャリアを供給するキャリア供給層を有し、かつ素子間分離のためのメサ部を有する高電子移動度トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極直下のメサ部に、少なくともチャネル層まで達する溝が形成されており、この溝の内部において直接、前記チャネル層にオーミックコンタクトしているソース電極及びドレイン電極を有していることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-022243 Applicant：三菱電機株式会社
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-255582 Applicant：日本電装株式会社

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