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J-GLOBAL ID：200903015867403941

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法

Inventor：
島沢 幸司

About 島沢 幸司


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 星宮 勝美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000008642
Publication number (International publication number)：2001203408
Application date： Jan. 18, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 特性を劣化させることなく、トンネルバリア層の厚さを小さくする。【解決手段】 TMR素子3は、下部ギャップ層2の上に形成されたフリー層11と、このフリー層11の上に形成されたトンネルバリア層12と、このトンネルバリア層12の上に形成されたピンド層13とを有している。フリー層11の上にトンネルバリア層12を形成する工程では、基板10を冷却しながら、フリー層11の上に、トンネルバリア層12の形成のために用いられるAl層を、例えばスパッタリングによって形成し、このAl層を酸化させてトンネルバリア層12とする。
Claim (excerpt)：
トンネルバリア層と、前記トンネルバリア層を挟むように配置された第1および第2の磁性層とを備えたトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法であって、基板に対して前記第1の磁性層を形成する工程と、前記第1の磁性層の上に前記トンネルバリア層を形成する工程と、前記トンネルバリア層の上に前記第2の磁性層を形成する工程とを含み、前記トンネルバリア層を形成する工程は、前記基板を冷却しながら、もしくは基板が冷却された状態で、前記第1の磁性層の上に前記トンネルバリア層の形成のために用いられる材料よりなる層を形成する工程を含むことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32
FI (4)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32
F-Term (16)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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