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J-GLOBAL ID：200903015918029373

シリコン酸化膜の形成方法

Inventor： 福山 俊一 ,  原田 秀樹 ,  申 大▲堤▼ ,  小松 由希
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
Agent (1)： 宇井 正一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188156
Publication number (International publication number)：1995045605
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程で用いられるO2 プラズマ処理により酸化を受けることがなく、配線材料のアルミなどの腐食を伴わずに、有機SOGと同等以上の比較的厚膜で使用可能な無機膜を形成することができる方法を提供する。【構成】 シリコン酸化膜を形成するに際して、下地上にポリシラザンを塗布し、得られたポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変成する。

Claim (excerpt)：

シリコン酸化膜を形成するに際して、下地上にポリシラザンを塗布し、得られたポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 51/00

FI (2)：

H01L 21/90 P ,  H01L 29/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 平坦化膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-163449   Applicant：東京応化工業株式会社
• 液晶表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-341469   Applicant：触媒化成工業株式会社