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J-GLOBAL ID：200903015950973377

半導体発光素子

Inventor： 大場 康夫 ,  波多野 吾紅
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038158
Publication number (International publication number)：1995249796
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 発光層からの不純物の拡散を増大させることなく発光センターを増加させることができ、高輝度短波長を実現し得るLEDを提供する。【構成】 サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、n-GaN閉じ込め層13、GaN発光層14、p-GaN閉じ込め層15を成長形成したLEDにおいて、発光層14に不純物としてSeとMgをそれぞれ1×1020cm-3ドープしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

II族元素とVI族元素が同時に添加されたGa<SB>x</SB> Al<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB> N層(0<x≦1,0≦y<1)を発光層としたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-068579
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070873   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒素-3族元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100378   Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (1)

• 特開平4-068579