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J-GLOBAL ID：200903015950973377
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038158
Publication number (International publication number)：1995249796
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 発光層からの不純物の拡散を増大させることなく発光センターを増加させることができ、高輝度短波長を実現し得るLEDを提供する。【構成】 サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、n-GaN閉じ込め層13、GaN発光層14、p-GaN閉じ込め層15を成長形成したLEDにおいて、発光層14に不純物としてSeとMgをそれぞれ1×1020cm-3ドープしたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
II族元素とVI族元素が同時に添加されたGa<SB>x</SB> Al<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB> N層(0<x≦1,0≦y<1)を発光層としたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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