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J-GLOBAL ID：200903015984705649

プラズマ処理装置

Inventor： 滝 正和 ,  大寺 廣樹 ,  西川 和康 ,  友久 伸吾 ,  新谷 賢治 ,  大森 達夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997266828
Publication number (International publication number)：1999111496
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ室と処理室とを備えた2室構造のプラズマ処理装置において、プラズマが生成されるプラズマ室から処理室に高密度プラズマを導き、被処理物の高速処理を実現する。【解決手段】 ガスを用い、プラズマ室2の周囲に配置されたRFコイル22によって供給されるRF電力によりプラズマを生成する。この際、試料室1のステージ6に載置される試料7から遠い位置にあるRFコイル22のコイル端をアース電位に接続する。

Claim (excerpt)：

ガスを用いて、その周囲に配置された高周波コイルにより供給される高周波電力によりプラズマが生成されるプラズマ室と、試料が配置され、プラズマ処理が施される試料室と、前記プラズマ室と前記処理室との間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する孔を有する隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手段と、前記プラズマ室へガスを供給するガス供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、前記高周波コイルの前記試料から遠い位置にあるコイル端をアース電位に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (6)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050536   Applicant：三菱電機株式会社
• プラズマ生成を増強するための電極を備えた誘導結合プラズマ反応装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-136831   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-091812   Applicant：日電アネルバ株式会社