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J-GLOBAL ID:200903016000006482
半導体素子およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (10):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005005750
Publication number (International publication number):2005229105
Application date: Jan. 12, 2005
Publication date: Aug. 25, 2005
Summary:
【課題】 半導体層の上に不純物注入マスクを形成する際に、不純物注入領域と不純物非注入領域との境界に発生する段差を小さくする。【解決手段】 炭化珪素層12の上に、不純物注入のためのマスクとして、酸化膜である保護膜25と、アルミニウムである第1の膜26と、酸化膜である第2の膜27とを形成する。そして、ドライエッチングを行うことにより、第2の膜27をパターニングする。このとき、第1の膜26はエッチングストッパーとなり、第1の膜26でエッチングが停止する。その後、第1の膜26のうち暴露している部分をエッチングにより除去した後に、保護膜25の上から炭化珪素層12に対して不純物注入を行う。その後、残存する保護膜25、第1の膜26および第2の膜27を除去する。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
ワイドバンドギャップの半導体層を有する半導体素子の製造方法であって、
上記半導体層の上方に、第1の膜を形成する工程(a)と、
上記第1の膜の上に第2の膜を形成する工程(b)と、
上記第1の膜よりも上記第2の膜のエッチング速度が大きい条件でエッチングを行うことにより、上記第2の膜をパターニングして上側マスクを形成し、上記第1の膜のうちの一部を暴露する工程(c)と、
上記工程(c)の後に、上記上側マスクをエッチングマスクとして上記第1の膜をパターニングして下側マスクを形成する工程(d)と、
上記工程(d)の後に、上記半導体層に不純物を注入することにより、不純物注入領域を形成する工程(e)と
を備える、半導体素子の製造方法。
IPC (4):
H01L21/336
, H01L21/265
, H01L21/3065
, H01L29/78
FI (6):
H01L29/78 658G
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 652T
, H01L21/265 Z
, H01L29/78 658A
, H01L21/302 105A
F-Term (8):
5F004AA02
, 5F004BA04
, 5F004DA16
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004EA10
, 5F004EA23
, 5F004FA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-308768
Applicant:株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
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