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J-GLOBAL ID：200903027499556447

炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor： ラジェシュ クマール ,  伊藤 忠
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998308768
Publication number (International publication number)：2000138231
Application date： Oct. 29, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 イオン注入によって形成する不純物層の欠陥をなくし、PN接合部における耐圧低下を防止できるようにする。【解決手段】 n- 型エピ層2にp型不純物であるBをイオン注入して不純物領域30を形成する、そして、不純物領域30の表層部を除去する。これにより、結晶性が乱れていない表層部が除去され、イオン注入によって結晶性が乱れた部分が残る。その後、Bを活性化させてp型ベース領域3を形成すると、最も深くイオン注入が成された位置側からのみ再結晶化が起こる。これにより、p型ベース領域3に結晶欠陥が残らず、p型ベース領域3とn- 型エピ層2とのPN接合部における耐圧低下を防止することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体層(2)中に第2導電型不純物をイオン注入したのち、該第2導電型不純物を活性化させて第2導電型の第2半導体層(3)を形成することで、PN接合を形成してなる半導体装置の製造方法において、前記第1半導体層に前記第2導電型不純物をイオン注入して不純物領域(30)を形成する工程と、前記不純物領域の表層部を除去したのち、前記第2導電型不純物を活性化させて前記第2半導体層を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 652 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 炭化けい素MOSFETの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-301439   Applicant：富士電機株式会社
• 炭化珪素半導体素子とその製造法及び用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-094770   Applicant：株式会社日立製作所
• 炭化けい素縦型MOSFETおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036080   Applicant：富士電機株式会社
• 絶縁ゲート型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106589   Applicant：富士電機株式会社
• 炭化けい素MOS半導体素子の製造方法および炭化けい素MOS半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-191486   Applicant：富士電機株式会社