量子素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994012092
Publication number (International publication number)：1995147392
Application date： Jan. 07, 1994
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】外部電場による量子箱アレイ中の電子間または正孔間相関の変調を効率良く行うことができる量子素子を実現する。【構成】障壁層を構成するi型AlAs層2により量子井戸部を構成するi型Alx Ga1-x As層3の周囲が取り囲まれた構造の量子ドットQDを一面内に互いに隣接して配列して量子ドット・アレイを形成する。各量子ドットQDはその配列面と直交する方向に対して組成的に非対称にする。この方向に外部電場を印加することにより、量子ドット・アレイ中の電子間相関の変調を行う。各量子ドットQDは、その配列面と直交する方向に対して形状的に非対称にしてもよい。

Claim (excerpt)：

一面内に互いに隣接して配列された複数の量子箱を有し、上記複数の量子箱が上記面と直交する方向に対して組成的に非対称になっていることを特徴とする量子素子。

IPC (2)：

H01L 29/68 , H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-265827
特開平1-183630
半導体量子箱装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-141808 Applicant：富士通株式会社

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Cited by examiner (5)

特開平3-265827
特開平1-183630
半導体量子箱装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-141808 Applicant：富士通株式会社

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