Pat
J-GLOBAL ID：200903016072808435

発光ダイオード

Inventor：
小河 晴樹

About 小河 晴樹

, 
河田 敏也

About 河田 敏也


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050170
Publication number (International publication number)：1995263745
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】傾斜した半導体基板上への1回の結晶成長により電流ブロック層を形成し、外部取り出し効率が高い発光ダイオードを提供する。【構成】半導体基板の表面が(100)面と、(100)面から(011)面および(0-1-1)面の方向に傾斜した複数の結晶面とからなり、その上に活性層とn型およびp型の不純物の同時ドーピング層とを含むエピタキシャル層が形成され、さらにエピタキシャル層の上方の一部に電極が形成される。【効果】特に活性層がInGaAlP系材料の場合に、内部量子効率も高い高光出力の発光ダイオードを得ることができる。さらにエピタキシャル層の表面に遮光膜を形成すると単色光が得られる。
Claim (excerpt)：
格子面の(100)面と同一の面ならびに(100)面から(011)面の方向および(0-1-1)面の方向のいずれかに傾斜した面のいずれか一方である第1の主面を表面に有するとともに、前記第1の主面に対して(011)面方向および(0-1-1)面方向の少なくともいずれか一方に傾斜しかつ前記第1の主面に並設した第2の主面を有し、前記第1の主面と(100)面のなす角度を、前記第2の主面と(100)面のなす角度に比べて小さくした半導体基板と、活性層を挾むクラッド層を有するダブルヘテロ構造の発光層と、前記活性層の上側もしくは下側に形成されたn型およびp型の両不純物の同時ドーピング層と、この発光層の上側に形成されて前記活性層内に発生した光を外部に取り出す窓層と、この窓層上の前記第1の主面および第2の主面の一方に対向する部位、並びに前記半導体基板の裏面に形成された電極とを備え、前記同時ドーピング層の前記第1の電極の直下の部位が前記第1の電極から流入する電流に対するブロック層となるように、前記第1の主面および第2の主面の面方位並びに前記不純物の濃度を設定した発光ダイオード。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM