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J-GLOBAL ID：200903016077990509

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 海野 ゆかり
Applicant, Patent owner： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995289571
Publication number (International publication number)：1997134954
Application date： Nov. 08, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 埋め込み素子分離法を用いた半導体装置において、コンタクト孔を形成する際、リソグラフィ法を用いると、マスクずれが生じた場合に素子分離領域のエッジ部分もエッチングしてしまい、このコンタクト孔に配線層を形成すると配線層と半導体基板とがショートするといった現象が生じ、ジャンクションリーク等の問題が発生していた。【解決手段】 素子分離領域107のSDG領域と接する素子分離領域のエッジ部分に酸化膜エッチングで選択性を有する膜を設け、コンタクト孔112を形成する際、エッチングストッパーとして機能させることにより、素子分離領域のエッジ部がエッチングされることを防ぎ、コンタクト孔112に形成された配線層113とシリコン基板101とが接触するのを回避する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に設けられた溝に第1の絶縁物質を充填して形成された素子分離領域と、前記素子分離領域上部のエッジ部に形成された、第2の絶縁物質からなる膜部と、前記半導体基板上に形成された第2の絶縁物質とエッチング選択性を有する第3の絶縁物質からなる層間絶縁膜とを具備し、前記第2の絶縁物質よりなる膜部がコンタクト孔形成時にエッチングストッパーとしての機能を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-063748   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-190847
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227600   Applicant：株式会社東芝