半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994227600
Publication number (International publication number)：1996097171
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】素子分離領域、トランジスタ拡散層に対して自己整合になるように、素子と配線層とを絶縁している物質との間でエッチング選択性がある物質による保護膜のパターンを形成し、これに対して自己整合的にコンタクトホールを形成し、素子領域あるいはトランジスタ拡散層に対してコンタクトが自己整合的に形成され、素子微細化に伴うコンタクト形成に関する問題を解決した半導体装置を提供する。【効果】コンタクトホールを素子分離領域端あるいはトランジスタ拡散層に対して自己整合的に形成する。従来問題であったコンタクトと素子分離領域またはトランジスタの拡散層との合わせずれによるトランジスタ拡散層と基板との間の短絡不良の問題は解決できる。また、RIEされる領域(レジスト開口部)を素子分離領域上にまで広げる。コンタクトホールのサイズは実際のコンタクトのサイズより大きくなり、コンタクトホールのアスペクト比も従来より小さく抑える。

Claim (excerpt)：

素子と配線層とが第一の物質により絶縁される半導体装置において、半導体装置の素子分離領域上に第一の物質との間でエッチング選択性がある第二の物質の膜が形成されており、素子領域に対するコンタクトが第二の物質の膜に対して自己整合的に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 , H01L 21/768

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

特開平3-126266
特開平2-105552
特開平4-177724

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