半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995182220
Publication number (International publication number)：1997017788
Application date： Jun. 27, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】上層の水素遮断用膜の応力増加に伴ってアルミニウム配線層全体に生じる膜応力を低減させて断線の発生を防止する。【構成】石英基板10の上に絶縁膜(PSG)11を介してアルミニウム(Al)配線層13が形成され、更にこのアルミニウム配線層13上に絶縁膜(PSG)14を介して、プラズマCVD法により形成された、水素遮断用のシリコン窒化膜(P-SiN)15が形成されている。アルミニウム配線層13の直線部分の線長(A)が100μm以内の部分において、絶縁膜11に石英基板10に達する段差用開口部12が形成されている。アルミニウム配線層13はこの段差用開口部12に沿って形成されており、段差部(Al配線段差部13a)が形成されている。段差用開口部12の配線方向の長さ(B)は100μm未満となっている。このような立体構造により、シリコン窒化膜15の応力増加に伴ってアルミニウム配線層13に生じる膜応力が緩和される。

Claim (excerpt)：

基板上に第1の層間絶縁膜を介して全長が100μm以上の長さを有するアルミニウム配線層が形成されると共に、前記アルミニウム配線層上に第2の層間絶縁膜を介して水素遮断用膜が形成されてなる半導体装置であって、前記アルミニウム配線層が、長さが100μm以内の部分において、前記水素遮断用膜の応力増加に伴って生じた膜応力を緩和するための段差部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/318 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/88 B , H01L 21/318 B , H01L 21/88 N , H01L 29/78 612 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平1-216555
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-084538 Applicant：ソニー株式会社
特開昭61-053745

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