フォトマスクの欠陥修正方法及び修正装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996097087
Publication number (International publication number)：1997281691
Application date： Apr. 18, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】フォトマスク基板の裏面からマスクパターン欠陥である遮光膜残りにレーザー光を照射し、溶融して除去すると、マスクパターンの縁に溶融した遮光膜粒が残ってしまうという問題点があった。【解決手段】 100μm2の大きさのCrパターン欠陥に対してはエネルギー10μJ以下、レーザービームのパルス幅が10psec以下のレーザービームを照射してCrパターン欠陥を溶融させることなく力学的に剪断、剥離して除去する。【効果】パターン欠陥の除去後に溶融した遮光膜粒4が残ることがなく、パターン欠陥の除去が確実に行え、マスク製造工程を簡略化することができる。

Claim (excerpt)：

遮光膜残りによるマスクパターン欠陥に、フォトマスク基板の裏面からエネルギーおよびパルス幅を調整したレーザービームを照射することにより、上記遮光膜が溶融することなく、上記遮光膜残りを剪断し、上記フォトマスク基板より上記マスクパターン欠陥を剥離するようにしたことを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 , B23K 26/00 320 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 V , B23K 26/00 320 E , H01L 21/30 502 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭52-027372
特開平2-097945
特開昭63-036249

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