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J-GLOBAL ID：200903016107190910

磁気抵抗効果素子

Inventor： 宮内 貞一 ,  鹿野 博司 ,  水口 徹也 ,  橋本 実
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000061873
Publication number (International publication number)：2001250208
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 第1の強磁性層を単磁区化し、磁壁が生じることを防止する。【解決手段】 TMR薄膜3の両端部に、高い抵抗値を有する硬磁性材料によってバイアス層4を形成する。このため、センス電流がバイアス層4に分流することがなくなる。そして、TMR薄膜3に対して十分にバイアス磁界を印加することが可能となる。このことにより、フリー層13が単磁区化するため、磁壁の発生を防止できる。

Claim (excerpt)：

感磁部である磁気抵抗効果薄膜と、上記磁気抵抗効果薄膜の両端部に形成され、磁気抵抗効果薄膜に対してバイアス磁界を印加する硬磁性層と、上記磁気抵抗効果薄膜の両主面側に形成され、磁気抵抗効果薄膜に対して電流を供給する電極層とを備え、上記硬磁性層は、0.5Ωcm以上の電気抵抗を有する材料によって形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/08 Z

F-Term (12)：

5D034BA04 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AB02 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049CC01 ,  5E049CC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• トンネル磁気抵抗積層膜およびトンネル磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-166581   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-264464   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-017383   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-051613   Applicant：株式会社日立製作所