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J-GLOBAL ID：200903016149060420

発光ダイオード

Inventor： フレッド・エー・キッシュ,ジュニア ,  ステファン・エー・ストックマン
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996202680
Publication number (International publication number)：1997107123
Application date： Aug. 01, 1996
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】光の放出及び光学特性が改善されたLEDを提供する。【解決手段】本発明の一実施例によれば、光の放出及び光学特性が改善された、とりわけ、上部表面からの発光が増大したTS(透明基板)LEDチップの製造方法、及び、それによって製造されたTS LEDが提供される。チップ内に非吸収性のDBR(分布ブラッグ・リフレクタ)を用いることにより、LEDの製造が可能になる。透明DBRは、チップ内の接触部のような吸収領域から離れるように光の向きを直すので、LEDの光の放出効率が高くなる。非吸収性DBRは、また、チップの上部表面に向かうように光の向きを直すこともできるので、上部表面からの発光量及びパッケージLEDの強度が増すことになる。これらの利点は、光学的に非吸収性の層によって実現され、TS LEDの利点が保たれる。これらの利点には、〜6の光のエスケープ・コーン、光のランダム化、及び、多光路光の放出が含まれる。

Claim (excerpt)：

光を発生するための活性領域と、前記活性領域の下に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明な基板と、前記活性領域の上に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明なウインドウ層と、前記活性領域に電圧を印加する第1の接触部および第2の接触部と、所定の入射角範囲内で当る光を反射し、その範囲外で当る場合には、吸収を最小限に抑えてその光を透過する、少なくとも1つの第1の分布ブラッグ・リフレクタと、を備えて成る発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-085774
  
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-303662   Applicant：大同特殊鋼株式会社