回路基板および半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996287945
Publication number (International publication number)：1998135408
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】誘電体膜上に抵抗体膜を有する回路基板において、抵抗体からの発熱による誘電体膜の局所的な熱膨張をなくし、抵抗体膜の断裂を防止する。【解決手段】マイクロストリップ線路の誘電体膜であるBCB膜3上に放熱用導体膜4を設け、その上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜により構成される層間絶縁膜4を介して抵抗体膜6を形成する。この抵抗体膜6は配線導体膜7に接続されている。抵抗体膜6からの発熱を速やかに放熱導体膜4全体から広い領域に拡散させ、BCB膜3の局所的な熱膨張を抑制することにより、抵抗体膜6が受ける引っ張り応力,曲げ応力が低減されるので、抵抗体膜6の断裂を防止することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部に接地用導体部を有する基板と、上記接地用導体部の上に形成された誘電体膜と、上記誘電体膜の少なくとも一部の上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜の上に形成された導体又は半導体からなる発熱性膜と、上記発熱性膜に接続され上記誘電体膜及び上記接地用導体部と共にマイクロストリップ線路を構成する配線導体膜と、上記誘電体膜と上記層間絶縁膜との間で上記層間絶縁膜を挟んで上記発熱性膜と対抗するように形成され、上記誘電体膜よりも熱伝導率の高い導電性材料からなる放熱用導体膜とを備えていることを特徴とする回路基板。

IPC (3)：

H01L 27/01 301 , H01L 23/36 , H01L 25/00

FI (3)：

H01L 27/01 301 , H01L 25/00 B , H01L 23/36 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067127 Applicant：松下電器産業株式会社
IC化実装用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-159043 Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067127 Applicant：松下電器産業株式会社
IC化実装用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-159043 Applicant：日本電信電話株式会社

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