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J-GLOBAL ID：200903016216618750
窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997116613
Publication number (International publication number)：1998308558
Application date： May. 07, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：
【要約】【目的】 窒化物半導体を用いた新規な面発光レーザ素子の構造と、面発光レーザ素子の製造方法とを提供する。【構成】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有するダブルへテロ構造のレーザ素子で、n型窒化物半導体層若しくはp型窒化物半導体層の少なくとも一方の層内に誘電体多層膜よりなる反射鏡を形成して面発光レーザを実現する。
Claim (excerpt)：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型窒化物半導体層若しくはp型窒化物半導体層の少なくとも一方の層内に窒化物半導体と異なる材料よりなる反射鏡を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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