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J-GLOBAL ID：200903016253335075

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
信方 浩美

About 信方 浩美


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996158549
Publication number (International publication number)：1998011982
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】データの読み出し速度の高速化を図れる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 2アドレスを多値化して格納し、読み出しは、ワード線電圧VWL1 で1回目の読み出しを行った後ではページ内のアドレスのうち下位側のアドレスのデータは確定しているので、外部に対して4値/2ビット変換回路80からデータをそのままシリアル出力し、そして、外部に対しては下位側のデータを出力しつつ、内部ではワード線電圧VWL0 ,VWL2 でデータの読み出しを行い、ページ内アドレスの上位側のデータを確定し、下位側のアドレスのデータ出力が終了した段階で上位側アドレスのデータを出力する。これにより、見かけ上の第1アクセス時間を速くでき、データの読み出し速度の高速化を図れる。
Claim (excerpt)：
3値以上の多値データをメモリセルに格納する不揮発性半導体記憶装置であって、多値データを異なるアドレスの複数ビットのデータとして1つのメモリセルに格納する書き込み手段と、上記複数ビットからなる格納データを上位ビット側と下位ビット側とに規定して、読み出し時に、上位ビットまたは下位ビットのうちいずれか一方のビット側データの読み出しを行って出力するとともに、当該出力期間中に、他方のビット側データの読み出しを行う読み出し手段とを有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3)：
G11C 16/04 ,  G11C 8/00 314 ,  G11C 11/41
FI (3)：
G11C 17/00 308 ,  G11C 8/00 314 ,  G11C 11/34 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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