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J-GLOBAL ID：200903094707110660

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 竹内 健 ,  田中 智晴
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061445
Publication number (International publication number)：1997251787
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 多値のデータを記憶するメモリセルを有していながらも、データの読み出し時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 電気的書き替えが可能なn値(nは3以上の自然数)を記憶するメモリセルから読み出された多値のデータを保持するm個のラッチ回路をm個のラッチ回路RTから構成されるデータ回路6**とを含み、データを読み出すときに、m個のうちk個のラッチ回路RTに読み出し保持したデータを、データ回路6**を構成する他のm-k個のラッチ回路RTに読み出しデータが保持される前に、出力する。

Claim (excerpt)：

電気的書き替えが可能なn値(nは3以上の自然数)を記憶するメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、メモリセルから読み出したデータを保持するm個のラッチ回路から構成されるデータ回路とを含み、読み出し時にm個のうちk個のラッチ回路に読み出し保持したデータが、データ回路を構成する他のm-k個のラッチ回路に、読み出しデータが保持される前に出力されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-147108   Applicant：ヤマハ株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-049594   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭64-043894
  
• 特開昭64-043894