ダイヤモンド単結晶基板及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松純 , 小松秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004028811
Publication number (International publication number)：2005219962
Application date： Feb. 05, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】低コストで最大面積の単結晶が得られるシリコン基板上にダイヤモンド単結晶膜を成膜することにより、低コストで大型のダイヤモンド単結晶基板を得る。【解決手段】本発明のダイヤモンド単結晶基板又は単結晶基板製造方法は、低コストで大型な単結晶基板の製造が容易なシリコン単結晶を基板とし、ダイヤモンド単結晶膜13とシリコン単結晶基板10との間に酸化物単結晶層11と金属単結晶層12の中間層を有すことにより、シリコン単結晶基板とダイヤ単結晶との間の格子不整合等による残留応力を緩衝することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に酸化物単結晶が積層し、前記酸化物単結晶層上に金属単結晶層が積層し、前記金属単結晶層上にダイヤモンド単結晶が積層したダイヤモンド単結晶基板。

IPC (2)：

C30B29/04 , C23C16/27

FI (2)：

C30B29/04 X , C23C16/27

F-Term (16)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB17 , 4G077DB18 , 4G077DB21 , 4G077EF02 , 4G077HA12 , 4G077SA04 , 4G077SA06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭63-224225号公報
特開平2-233591号公報
特開平4-132687号公報

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