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J-GLOBAL ID：200903035528817355

ダイヤモンド単結晶の製造方法

Inventor： 明田川 正敏
Applicant, Patent owner： 出光マテリアル株式会社
Agent (1)： 福村 直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188482
Publication number (International publication number)：1995041385
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、半導体基板、高性能な電子デバイス等に好適な高品質のダイヤモンド単結晶を大面積に、しかも経済的かつ簡便に製造することができる、ダイヤモンド単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、シリコン単結晶基板上にシリサイド単結晶をヘテロエピタキシャル成長させた後、前記シリサイド単結晶上にダイヤモンド単結晶をヘテロエピタキシャル成長させることを特徴とするダイヤモンド単結晶の製造方法である。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上にシリサイド単結晶をヘテロエピタキシャル成長させた後、前記シリサイド単結晶上にダイヤモンド単結晶をヘテロエピタキシャル成長させることを特徴とするダイヤモンド単結晶の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-112004   Applicant：株式会社神戸製鋼所