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J-GLOBAL ID：200903016290885212

半導体電極およびその製造方法、ならびにそれを用いた光電池

Inventor： 小野 好之 ,  今井 彰 ,  佐藤 克洋 ,  廣瀬 英一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997304615
Publication number (International publication number)：1999144772
Application date： Nov. 06, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 太陽光を効率よくエネルギー変換でき、素子化の為の加工性に優れた半導体電極及びその製造方法、並びにそれを用いた光電池を提供すること。【解決手段】 支持体上に、微細孔の孔径度数分布が複数のピーク値を有する金属酸化物多孔質体を形成してなることを特徴とする半導体電極及びそれを用いた光電池であり、また、その製造方法として、好ましくは、1)金属酸化物前駆体と、該金属酸化物前駆体と相互作用する化合物と、を溶媒中で混合してゲルを生成する工程と、2)該ゲル中の前記金属酸化物前駆体を加水分解および脱水縮合させて析出した金属酸化物微粒子と、前記金属酸化物前駆体と相互作用する化合物と、を含むゾルを生成する工程と、3)該ゾルを支持体に塗布および焼成する工程と、からなることを特徴とする半導体電極の製造方法である。

Claim (excerpt)：

支持体上に、微細孔の孔径度数分布が複数のピーク値を有する金属酸化物多孔質体を形成してなることを特徴とする半導体電極。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-220380
  
• 多孔質電極及びそれを用いた太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042747   Applicant：工業技術院長
• 湿式太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-329968   Applicant：株式会社ニコン