透明導電膜

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995094473
Publication number (International publication number)：1996264022
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】:本発明は、II族、III族およびIV族元素を含む酸化物から成る擬3元系もしくは4元系を有する新しい透明導電膜を提供することにより、ますます多様化する透明導電膜の用途に対応できる高い導電性を持ち、小さな光屈折率から大きな光屈折率まで幅広く選択でき、しかも高温酸化性雰囲気中での安定性や、適度な化学薬品耐性を有する透明導電膜及びそれを製造するために使用する焼結体を提供することである。【構成】:(Zn,Cd,Mg)O-(B,Al,Ga,In,Y)2O3-(Si,Ge,Sn,Pb,Ti,Zr)O2あるいは(Zn,Cd,Mg)O-(B,Al,Ga,In,Y)2O3-(Si,Sn,Pb)Oで示される混晶を含む擬3元系組成から成る4元系透明導電膜を上記擬3元系粉末、もしくは同組成の焼結体タ-ゲットを用いた高周波または直流マグネトロンスパッタ法により製造する。

Claim (excerpt)：

【請求項 1】基体上に、II族、III族及びIV族元素を含む酸化物の薄膜を形成してなることを特徴とする透明導電膜。【請求項 2】請求項1記載のII族元素として、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)またはマグネシウム(Mg)、III族元素としてホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)またはイットリウム(Y)、IV族元素としてシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、チタニウム(Ti)またはジルコニウム(Zr)であることを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。【請求項 3】請求項1記載の膜の成分が、(Zn,Cd,Mg)O-(B,Al,Ga,In,Y)2O3-(Si,Ge,Sn,Pb,Ti,Zr)O2で示される混晶を含む擬3元系において、[0.1+x](Zn,Cd,Mg)O-[0.1](B,Al,Ga,In,Y)2O3-[99.8-x](Si,Ge,Sn,Pb,Ti,Zr)O2、[99.8-x](Zn,Cd,Mg)O-[0.1+x](B,Al,Ga,In,Y)2O3-[0.1](Si,Ge,Sn,Pb,Ti,Zr)O2、[0.1](Zn,Cd,Mg)O-[99.8-x](B,Al,Ga,In,Y)-[0.1+x](Si,Ge,Sn,Pb,Ti,Zr)O2、またはIV族元素の酸化物を同族の(Si,Sn,Pb)Oに置き換えた上記各領域で囲まれた擬3元系もしくは4元系組成範囲、ただし、0≦x≦99.7[モル%]、にあることを特徴とする請求項1または2記載の透明導電膜。【請求項 4】請求項1,2または3記載の透明導電膜を製造するために使用される焼結体。

IPC (5)：

H01B 5/14 , C01G 15/00 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , C23C 16/40

FI (6)：

H01B 5/14 A , C01G 15/00 B , C01G 15/00 J , C23C 14/08 K , C23C 14/34 A , C23C 16/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

非晶質透明導電膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-095568 Applicant：旭硝子株式会社
透明電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197533 Applicant：株式会社高純度化学研究所

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