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J-GLOBAL ID：200903016339530466
半導体集積回路装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996175036
Publication number (International publication number)：1998022286
Application date： Jul. 04, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 工程を必要以上に複雑化することなく、位相シフト露光技術の採用による微細な金属配線パターンを形成する。【解決手段】 半導体ウェハ1の表面に絶縁膜1aを形成してポジ型フォトレジスト5で覆い、マーク検出光6によるマークパターン3の位置合わせ後、露光光7および位相シフトマスクにてポジ型フォトレジスト5を露光/現像してレジストパターン5aを形成し、レジストパターン5aをエッチングマスクとするエッチングにて、絶縁膜1aに溝パターン1bを形成し、レジストパターン5aを除去して、絶縁膜1aの上に全面に溝パターン1bを充填するように金属膜8を形成し、エッチバックや化学的機械的研磨処理によって下地の絶縁膜1aの表面が露出するように平坦に金属膜8を除去することにより、絶縁膜1aの溝パターン1b内に露光光7の波長よりも幅寸法の小さな微細な金属配線パターン8aを形成する。
Claim (excerpt)：
半導体ウェハ上のフォトレジストに露光原板を経由した露光光を照射して得られたレジストパターンをエッチングマスクに用い、金属配線パターンを形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、(a)集積回路素子とその周辺部に重ね合わせマークとを形成した半導体ウェハ上に絶縁膜を堆積し、前記絶縁膜上にポジ型フォトレジストを塗布する工程と、(b)金属配線パターンの内部領域に対応した領域が光透過領域となる拡大パターンであって、かつ、遮光領域を挟み、近接する2つの光透過領域の透過光の位相を互いに反転させる位相シフト手段を備えた第1のパターンと、前記半導体ウェハと前記露光原板との重ね合わせの制御に用いられる第2のパターンとを備えた露光原板を製作する工程と、(c)光縮小投影露光装置の所定の位置に前記露光原板と前記半導体ウェハを装着し、前記露光原板上の前記第2のパターンと前記半導体ウェハ上の前記重ね合わせマークとを位置合わせし、前記露光原板上の前記第1のパターンと前記半導体ウェハ上のパターンとを重ね合わせる工程と、(d)前記露光原板に前記露光光を照射し、前記露光原板の透過光を前記半導体ウェハ上の前記ポジ型フォトレジストに縮小して結像する工程と、(e)前記ポジ型フォトレジストを現像して光照射部を除去することにより、レジストパターンを形成する工程と、(f)前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記絶縁膜をエッチングし、前記金属配線パターンが充填される溝を形成する工程と、(g)前記絶縁膜上の前記溝を埋めるように金属配線膜を堆積した後、前記絶縁膜の表面が露出するように、前記金属配線膜を化学的機械的研磨またはエッチバック処理を施すことにより、前記溝の内部以外の前記金属配線膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/3205
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
, H01L 21/66
H01L 21/88 K
, G03F 1/08 N
, G03F 7/20 521
, G03F 7/38 511
, H01L 21/66 J
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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