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J-GLOBAL ID：200903016386952719

半導体デバイスの生産方法

Inventor： 野口 稔 ,  森岡 洋 ,  西山 英利 ,  見坊 行雄 ,  大島 良正 ,  松岡 一彦 ,  執行 義春
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000070991
Publication number (International publication number)：2000311926
Application date： Mar. 09, 1993
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】高速、高精度に、全自動で異物等の欠陥を検出できるようにして、全数の欠陥検査、十分な欠陥検査頻度の抜き取り検査を実現し、高効率の半導体デバイス生産方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスの生産方法において、基板に対して処理を施す前に基板を光学的に検査して基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、異物の状態を検出した基板を基板処理装置で処理し、処理した基板を再度光学的に検査して基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、処理前に検出した基板上の所定の領域の異物の状態と処理後に検出した基板上の所定の領域の異物の状態とに基づいて、基板処理装置の異物発生状態を監視しながら基板を処理し、監視により基板上の所定の領域の異物の発生の異常を検出したときには警報を発するようにした。

Claim (excerpt)：

基板に対して処理を施す前に前記基板を光学的に検査して前記基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、該異物の状態を検出した前記基板を基板処理装置で処理し、該処理した基板を再度光学的に検査して前記基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、前記処理前に検出した前記基板上の所定の領域の異物の状態と前記処理後に検出した前記基板上の所定の領域の異物の状態とに基づいて、前記基板処理装置の異物発生状態を監視しながら前記基板を処理し、該監視により前記基板上の所定の領域の異物の発生の異常を検出したときには警報を発することを特徴とする半導体デバイスの生産方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/956

FI (2)：

H01L 21/66 J ,  G01N 21/956 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プロセス集積化装置および電極配線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-201231   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平1-137641
  
• 特開昭53-135653