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J-GLOBAL ID：200903016408131781

多層配線の製作方法

Inventor： 杉谷 末広 ,  平野 真 ,  青山 眞二
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058708
Publication number (International publication number)：1998256234
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】下地基板1の上に下層配線2、絶縁膜3、及び、穴パタンを有する耐エッチング性の膜を順次形成し、その耐エッチング性の膜をマスクとする選択エッチングによって、絶縁膜3に穴ないし溝穴6を開け、穴ないし溝穴6の内部及び絶縁膜3の上面に連接して上層配線11を形成する多層配線の製作方法において、微細かつエッチング残渣の無い穴6を形成する事を可能とし、それによって、配線幅の縮小と、それに伴う半導体集積回路の小型化や多機能化を可能とすること。【解決手段】前記課題を、前記の耐エッチング性の膜として、マスク用金属膜4とレジストマスク5との複合膜を用いることにより解決する。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも一層からなる下層配線、絶縁膜、マスク用金属膜を順次堆積する工程と、該マスク用金属膜の表面に、穴パタン又は溝穴パタンを有するレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして、該マスク用金属膜を選択エッチングして該絶縁膜を露出する工程と、該露出された絶縁膜を、該マスク用金属膜をマスクとして異方性選択エッチングして、該下層配線に達する穴状又は溝穴状の開口部を形成する工程と、該レジスト膜及び該マスク用金属膜を除去する工程と、該開口部の底面、側面及び該絶縁膜の上面に連接して上層配線を形成する工程とを有することを特徴とする多層配線の製作方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-120553   Applicant：沖電気工業株式会社
• スルーホールの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-211613   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開昭63-036547
  
• 特開昭63-036547