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J-GLOBAL ID：200903016445843503

ITOスパッタリングターゲット、並びにITO焼結体及び透明導電膜の製造方法

Inventor： 内海 健太郎 ,  高畑 努
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999282585
Publication number (International publication number)：2000256842
Application date： Oct. 04, 1999
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 通常のスパッタリング法でITO薄膜を製造しても、抵抗率が極めて低いITO薄膜を得ることができるITOスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 焼結体の焼結密度が7.08g/cm3以上で、酸素の含有量がO/(In+Sn+O)の原子比で62%以上であるITO焼結体をスパッタリングターゲットとして使用することにより低抵抗率の膜を得ることができ、このような焼結体は、焼結をオゾンと酸素との混合ガス雰囲気下で行うことにより製造することができる。

Claim (excerpt)：

実質的にインジウム、スズ、および酸素からなり、焼結体の焼結密度が7.08g/cm3以上で、酸素の含有量がO/(In+Sn+O)の原子比で62%以上であるITO焼結体からなるITOスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 R

F-Term (13)：

4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA16 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-224163
  
• ITO焼結体の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-341845   Applicant：東ソー株式会社
• ITO焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-072312   Applicant：三菱マテリアル株式会社