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J-GLOBAL ID：200903016497362350
有機絶縁膜材料およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996229892
Publication number (International publication number)：1998074750
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ケイ素などの異種元素を含まない有機ポリマから成る有機絶縁膜材料でありかつより高い耐熱性を有する有機絶縁膜材料及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 下記の(7)式で示される構造単位と、下記の(38)式で示される構造単位とから構成される架橋型構造を有する有機ポリマである。この有機絶縁膜材料は反応器に、4,4’,4”-エチリデントリスフェノールと、パーフロロビフェニルと、炭酸カリウムとを入れ、さらにN,N-ジメチルアセトアミドを加え、窒素雰囲気下、80°Cで2時間攪拌して重合反応させ、その後、反応溶液を希塩酸に投入して沈殿を生成させ、得られた沈殿をろ紙を用いてろ別し、洗液が中性になるまで水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄した後、真空乾燥器内で80°Cで24時間乾燥させることにより製造した。【化24】
Claim (excerpt)：
1または複数のベンゼン環を含むポリフェノール型構造単位であってかつ任意の1または複数のベンゼン環に当該ポリフェノール型構造単位全体として3つ以上の酸素が直接結合しているポリフェノール型構造単位と、1または複数のベンゼン環を含みそれと前記酸素とが直接結合して前記ポリフェノール型構造単位間を橋渡ししているアリール型構造単位とから構成される架橋型構造を有する有機ポリマから成ることを特徴とする有機絶縁膜材料(ただし、ベンゼン環は全部または一部が縮合ベンゼン環である場合も含む。)。
IPC (3)：
H01L 21/312
, C08G 65/40 NQW
, H01L 21/768
H01L 21/312 A
, C08G 65/40 NQW
, H01L 21/90 S
