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J-GLOBAL ID:200903016585515204

非水溶媒系二次電池の電極用炭素質材料及びその製造方法、並びに非水溶媒系二次電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 猿渡 章雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997099580
Publication number (International publication number):1998284089
Application date: Apr. 03, 1997
Publication date: Oct. 23, 1998
Summary:
【要約】【課題】 高エネルギー密度の非水溶媒系二次電池を可能とする二次電池電極用炭素質材料及びその製造方法並びに該炭素質材料からなる負極を有する非水溶媒系二次電池を提供する。【解決手段】 ブタノール法により求めた真密度が1.46g/cm3 以下、ヘリウム法により求めた真密度が1.7g/cm3 以上、元素分析によりもとめた水素原子と炭素原子の原子比H/Cが0.15以下、窒素吸着BET法により求めた比表面積が50m2 /g以下、炭酸ガスの吸着量が10ml/g以上の非水溶媒系二次電池の電極用炭素質材料であり、この炭素質材料は、好ましくはイネ科タケ類由来の炭素前駆体を、減圧下あるいは不活性ガス流通下で1000〜1400°Cの温度で炭素化して、適切な微細孔構造を形成することによって製造される。
Claim (excerpt):
ブタノール法により求めた真密度が1.46g/cm3 以下、ヘリウム法により求めた真密度が1.7g/cm3 以上、元素分析により求めた水素原子と炭素原子の原子比H/Cが0.15以下、窒素吸着BET法により求めた比表面積が50m2 /g以下、炭酸ガスの吸着量が10ml/g以上であることを特徴とする非水溶媒系二次電池の電極用炭素質材料。
IPC (5):
H01M 4/96 ,  C01B 31/02 101 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40
FI (5):
H01M 4/96 M ,  C01B 31/02 101 Z ,  H01M 4/02 D ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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