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J-GLOBAL ID：200903016589053027
スピンバルブ型薄膜素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996312042
Publication number (International publication number)：1998154314
Application date： Nov. 22, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】反強磁性層上に固定磁性層、非磁性導電層及びフリー磁性層が積層され、前記4層の側面にハードバイアス層が形成される従来のスピンバルブ型薄膜素子では、前記反強磁性層の膜厚が大きいために強いバイアス磁界を発生するハードバイアス層が、前記フリー磁性層の下方に形成され、前記フリー磁性層の側部には、バイアス磁界が弱いハードバイアス層しか形成されず、バルクハウゼンノイズが発生しやすくなっていた。【解決手段】反強磁性層1上にハードバイアス層6が形成されることによって、薄い膜厚で水平面6′をフリー磁性層4の下面4′よりも上方に形成できる。よって強いバイアス磁界を発生するh1部分のハードバイアス層がフリー磁性層4の側面に当接され、前記フリー磁性層4の磁化がX方向に単磁区化されやすくなり、バルクハウゼンノイズの発生を低減させることが可能となる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層の上に、前記反強磁性層との交換異方性結合により磁化方向が固定される固定磁性層が形成され、その上に非磁性導電層、およびフリー磁性層が順に積層され、少なくとも前記フリー磁性層の両側に位置して前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える導電路とが設けられているスピンバルブ型薄膜素子において、前記反強磁性層は、固定磁性層、非磁性導電層およびフリー磁性層よりもさらに両側の領域に延びており、前記バイアス層が、この反強磁性層の上に形成されていることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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