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J-GLOBAL ID：200903049599600862

磁気抵抗効果素子と、それを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生ヘッドおよび磁気記憶装置

Inventor： 岩崎 仁志 ,  上口 裕三 ,  福家 ひろみ ,  斉藤 和浩 ,  佐橋 政司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997229736
Publication number (International publication number)：1998124823
Application date： Aug. 26, 1997
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。【解決手段】 基板上に順に積層された反強磁性膜15、第1の強磁性膜16、非磁性膜17および第2の強磁性膜18を少なくとも有する巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜からなり、少なくとも第2の強磁性膜18が磁界検出部に応じた形状を有する磁気抵抗効果膜14を具備する磁気抵抗効果素子である。一対のバイアス磁界付与膜20は、磁気抵抗効果膜14の磁界検出部の両端部外側部分で、磁性多層膜中の導電性を有する膜上にそれぞれ積層されている。あるいは、磁界検出部に相当する部分とそれより薄い膜厚を有する磁界検出部の両端部外側部分とを有する第2の強磁性膜を用い、この第2の強磁性膜の磁界検出部の両端部外側部分の上に一対のバイアス磁界付与膜を積層する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の主表面上に、前記基板側から順に積層された反強磁性膜、第1の強磁性膜、非磁性膜、および磁界検出部に配置された第2の強磁性膜を少なくとも含む、巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁界検出部の両端部に隣接され、前記磁性多層膜中の前記反強磁性膜、第1の強磁性膜および非磁性膜から選ばれる導電膜上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。