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J-GLOBAL ID：200903016606481186

ダミーバイアスを使用した高速LSI半導体の金属配線の改善方法および半導体素子

Inventor： 沼田 乾 ,  ケイ ヒューストン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995178925
Publication number (International publication number)：1996083797
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【課題】 水平方向に縮小され、高い縦横比を具備した金属導線を有する半導体素子に於ける金属導体の信頼性を改善する方法並びに半導体を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に金属導線を形成し、金属導線の間に低誘電率材を蒸着しそして金属導線に接触した金属製のダミーバイアスを形成する。低誘電率のために熱伝導率も低い体誘電率材を通って放熱できない、金属導線で発生するジュール熱は、熱伝統率の高いダミーバイアスを通って放熱可能としているので、金属導線の温度上昇が押さえられ、結果として金属導線の信頼性が改善される。

Claim (excerpt)：

半導体素子の金属導線の信頼性を強化するための方法であって、少なくとも二つの金属導線を一つの基板上に形成し、低誘電率材を少なくとも前記二つの金属導線の間に蒸着し、前記金属導体に接触して第一ダミーバイアスを形成し、前記金属導線からの熱が前記第一ダミーバイアスに伝達可能であり前記金属導線から放熱されるようにする方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01G 4/08 ,  H01G 4/18 321

FI (3)：

H01L 21/88 S ,  H01G 4/08 B ,  H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-220464
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-324157   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-163941