成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005224741
Publication number (International publication number)：2007042823
Application date： Aug. 02, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：

【課題】スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制することができ、内部リークの発生も防止することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】筒体状の処理容器14内に被処理体Wを保持し、全開及び全閉を含んで弁開度を任意に設定することができる弁機構86が途中に介設された真空排気系82により処理容器内の雰囲気を排気しつつ処理容器内に原料ガスと反応性ガスとを供給するようにした成膜装置を用いて薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスと反応性ガスとを処理容器内へ交互に供給すると共に、原料ガスの供給時の弁機構の弁開度を、原料ガスの非供給時の弁開度よりも、全閉状態を除いて小さく設定する。これにより、スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

筒体状の処理容器内に被処理体を保持し、全開及び全閉を含んで弁開度を任意に設定することができる弁機構が途中に介設された真空排気系により前記処理容器内の雰囲気を排気しつつ前記処理容器内に原料ガスと反応性ガスとを供給するようにした成膜装置を用いて薄膜を形成する成膜方法において、前記原料ガスと前記反応性ガスとを前記処理容器内へ交互に供給すると共に、前記原料ガスの供給時の前記弁機構の弁開度を、該原料ガスの非供給時の弁開度よりも、全閉状態を除いて小さく設定するようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 , C23C 16/44

FI (2)：

H01L21/31 C , C23C16/44

F-Term (40)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA04 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030JA20 , 4K030KA03 , 4K030KA04 , 4K030KA11 , 4K030KA41 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045BB15 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EC01 , 5F045EE19 , 5F045EG02 , 5F045EG06 , 5F045EH12 , 5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

照明装置および液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-192257 Applicant：東芝ライテック株式会社
縦型半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-107067 Applicant：株式会社日立国際電気

Cited by examiner (4)

縦型半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-107067 Applicant：株式会社日立国際電気
基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-294015 Applicant：株式会社日立国際電気
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-201396 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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