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J-GLOBAL ID：200903061443041871

基板処理装置

Inventor：
境 正憲

About 境 正憲

, 
嶋 信人

About 嶋 信人


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (1)： 宮本 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003294015
Publication number (International publication number)：2005064306
Application date： Aug. 15, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
【課題】混合すると副生成物を生じる2種のガスが排気系で混合することを抑えることができ、副生成物の発生を低減することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】NH3ガスを処理炉202に供給するときには、第1の排気配管341から排気し、NH3ガスの供給を止めた後も2秒程度第1の排気配管341からのみ排気し、その後、第1の排気配管341および第2の排気配管342の両方から排気し、その後、第2の排気配管342のみから排気する。次に、DCSの処理炉202への供給を止めた後も2秒程度第2の排気配管342からのみ排気し、その後、第1の排気配管341および第2の排気配管342の両方から排気し、その後、第1の排気配管341のみから排気するようにするようにコントローラー321で制御する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも第1の処理ガスと第2の処理ガスとをそれぞれ別々に処理室へ供給する供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段とを有し、基板に所望の膜を形成させる基板処理装置であって、 前記排気手段は、少なくとも前記第1の処理ガスの排気経路および前記第2の処理ガス用の排気経路と、各排気経路にそれぞれ設けられた第1および第2のバルブと、 前記第1の処理ガス、または前記第2の処理ガスを前記処理室内へ供給するガス供給工程時と、前記ガス供給工程後に前記第1の処理ガスまたは前記第2の処理ガスを前記処理室内から除去するガス除去工程の初期時とにおいて、または、少なくとも、前記第1の処理ガス、または前記第2の処理ガスを前記処理室内へ供給するガス供給工程後に前記第1の処理ガスまたは前記第2の処理ガスを前記処理室内から除去するガス除去工程の初期時においては、前記第1または第2の処理ガス用の排気経路を単独で用い、前記ガス除去工程の所定時間経過後には、前記第1および第2の処理ガス用の排気経路を共に用いるように前記第1および第2のバルブを制御する制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2)：
H01L21/31 ,  C23C16/455
FI (2)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455
F-Term (19)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045EG01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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