Pat
J-GLOBAL ID:200903016612954940
縦型拡散炉および拡散方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
机 昌彦
, 谷澤 靖久
, 河合 信明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002178884
Publication number (International publication number):2004022987
Application date: Jun. 19, 2002
Publication date: Jan. 22, 2004
Summary:
【課題】縦型拡散炉において、オリフラ10aのある複数の半導体基板10をボ-トに積載しても反応ガスの流れを一様にし半導体基板10に形成される酸化膜を均一にするようにする。【解決手段】ボ-ト1に収納すべき複数の半導体基板を所定枚数ごとにオリフラ10aの向きを変えることによって、ボ-トの外周にオリフラが分散されオリフラによるガスの巻き込みが無くなり、ガスは一様に流れるようになる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
上下のいずれかの端から上下方向に並べて積載されるべき半導体基板の所定枚数毎に前記半導体基板のオリエンテ-ションフラットの向きをなす角度を変えて複数の前記半導体基板を収納するボ-トと、このボ-トを収納する炉心管と、炉心管内の前記半導体基板を加熱するヒ-タと、前記ボ-トを回転させる回転装置と、前記炉心管内に反応ガスを供給するガス供給管とを備えることを特徴とする縦型拡散炉。
IPC (4):
H01L21/31
, H01L21/22
, H01L21/316
, H01L21/68
FI (6):
H01L21/31 E
, H01L21/22 511G
, H01L21/22 511R
, H01L21/22 511S
, H01L21/316 S
, H01L21/68 N
F-Term (18):
5F031CA02
, 5F031HA64
, 5F031MA28
, 5F031PA18
, 5F045AA20
, 5F045AC11
, 5F045AF01
, 5F045BB03
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EM08
, 5F058BA06
, 5F058BC02
, 5F058BF55
, 5F058BF62
, 5F058BG04
, 5F058BJ01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-152549
Applicant:日本電気株式会社
-
熱処理装置及び熱処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-347532
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
-
処理方法および処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-192109
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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