炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置並びに炭化珪素単結晶インゴット

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001084852
Publication number (International publication number)：2002274994
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】本発明は、高純度で低欠陥大口径の単結晶炭化珪素インゴットとその製造方法を提供する。【解決手段】 Si結晶塊2を充填した黒鉛製柑橘3を、蓋4で閉じ、黒鉛製フェルト7で被覆した後、黒鉛製支持棒6の上に乗せ、二重石英管5の内部に設地した。石英管の内部を真空排気した後、原料温度を摂氏2000度まで上げた。雰囲気ガスとしてArガスと炭化水素ガス(C3H8)をそれぞれ純化器11、14を通して流入させ、石英管内圧力を約80kPaに保ちながら、原料温度を目標温度である摂氏2400度まで上昇させた後、1.3kPaまで約30分かけて減圧し、その後、約20時間成長を続けた。得られた結晶の口径は51mmで、高さは6mm程度であり、六方晶系の単結晶であることが確認された。

Claim (excerpt)：

種結晶上に単結晶成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、黒鉛製坩堝内に珪素原料を挿入し、黒鉛製坩堝蓋体の内面中央部に炭化珪素単結晶の種結晶を取り付けてから、該種結晶が前記珪素原料と対向するように前記坩堝の上端開口部を覆い、不活性ガス雰囲気中で坩堝を摂氏2000〜2400度に加熱保持し、かつ、前記種結晶及び坩堝蓋体を坩堝より低温に保って、珪素蒸気と黒鉛を反応させることにより、種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

F-Term (7)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077SA01 , 4G077SA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-103719 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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