レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：稲岡耕作 , 川崎実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004074815
Publication number (International publication number)：2005268308
Application date： Mar. 16, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】基板の表面に形成されているレジストをきれいに除去することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。【解決手段】ウエハWの表面に硫酸の液膜を形成する工程に先立って、高速回転しているウエハWの表面に過酸化水素水が供給されることにより、ウエハWの表面の全域が過酸化水素水によって湿潤した状態にされる。これにより、硫酸の液膜を形成する工程では、ウエハWの表面中央部に供給される硫酸が、レジストの疎水性およびウエハWの表面に形成されているパターンの影響を受けずに、ウエハWの表面上をその供給位置を中心とする同心円状に拡が拡がる。そのため、ウエハWの表面全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成される。よって、その後、過酸化水素水を供給することにより、ウエハWの表面上の全域でSPMを生成させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、その基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、この液膜形成工程に引き続いて、硫酸の液盛りによる液膜が形成されている基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面上で硫酸と過酸化水素水とを混合してレジスト剥離液を生成するレジスト剥離液生成工程と、上記液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に過酸化水素水または純水を供給して、過酸化水素水または純水によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。

IPC (3)：

H01L21/027 , G03F7/42 , H01L21/304

FI (6)：

H01L21/30 572B , G03F7/42 , H01L21/304 643A , H01L21/304 647Z , H01L21/304 648H , H01L21/304 648K

F-Term (6)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096LA02 , 5F046MA02 , 5F046MA06 , 5F046MA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開昭50-21681号公報

Cited by examiner (5)

基板洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-094985 Applicant：ソニー株式会社
基板処理装置および基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-159442 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
塗布膜形成方法および塗布装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-025678 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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