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J-GLOBAL ID：200903016655358675

光半導体モジュール

Inventor： 島田 尚往 ,  八木 哲哉
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (2)： 高田 守 ,  高橋 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004311798
Publication number (International publication number)：2006128236
Application date： Oct. 27, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】 1つの単体LDが短絡不良を起こしても同一アレイ内の他のLDは発振することができ、定電流駆動している場合には、短絡発生までに不良LDに流れていた電流を自動的に他のLDに分散して流し、他のLDに流れる電流を増大させて短絡LDからの光出力が無くなる分を補償することが可能なLDアレイを提供する。【解決手段】 それぞれに1個または複数個のレーザダイオード3A〜3Gを含む1個または複数個の半導体チップ31A〜31D、上記1個または複数個の半導体チップを装着するサブマウント2またはヒートシンク、上記半導体チップに動作電流を供給するボンディングワイヤ7を備え、上記ボンディングワイヤは上記レーザダイオードの動作電流以上の所定の過電流が流れた時に溶断するような材料、径及び形状とされたものである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

それぞれに1個または複数個のレーザダイオードを含む1個または複数個の半導体チップ、上記1個または複数個の半導体チップを装着するサブマウントまたはヒートシンク、上記半導体チップに動作電流を供給するボンディングワイヤを備え、上記ボンディングワイヤは上記レーザダイオードの動作電流以上の所定の過電流が流れた時に溶断するような材料、径及び形状とされたことを特徴とする光半導体モジュール。

IPC (1)：

H01S 5/022

FI (1)：

H01S5/022

F-Term (6)：

5F173MB02 ,  5F173MD07 ,  5F173MD59 ,  5F173MD63 ,  5F173MD64 ,  5F173MD65

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-025597   Applicant：三菱電機株式会社