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J-GLOBAL ID：200903016690711639

窒化ガリウム系素子用半導体基板

Inventor：
米田 章法

About 米田 章法


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001138502
Publication number (International publication number)：2002335049
Application date： May. 09, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 製造時における基板の反りを緩和することにより高い歩留まりで製造できかつ良好な素子特性を有する窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 複数の窒化ガリウム系半導体素子を形成するため半導体基板であって、窒化ガリウム系化合物半導体とは異なる材料からなる異種基板上に、それぞれ横方向成長を伴って成長された第1の窒化物半導体層を含む複数の第1領域とそれぞれ実質的に縦方向のみの成長により成長された第2の窒化物半導体層を含む複数の第2領域とを有してなる。
Claim (excerpt)：
複数の窒化ガリウム系半導体素子を形成するため半導体基板であって、上記半導体基板は、窒化ガリウム系化合物半導体とは異なる材料からなる異種基板上に、それぞれ横方向成長を伴って成長された第1の窒化物半導体層を含む複数の第1領域とそれぞれ実質的に縦方向のみの成長により成長された第2の窒化物半導体層を含む複数の第2領域とを有してなることを特徴とする窒化ガリウム系素子用半導体基板。
F-Term (10)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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